2020

半导體(tǐ)用(yòng)管：半导體(tǐ)放電(diàn)管选用(yòng)方法

半导體(tǐ)用(yòng)管是使用(yòng)晶闸管原理(lǐ)制造的过電(diàn)压保护装置。它依靠PN结的击穿電(diàn)流来触发器件导通和放電(diàn)，这可(kě)能(néng)会流过大的浪涌電(diàn)流或脉冲電(diàn)流。其击穿電(diàn)压的范围构成了过压保护的范围。

半导體(tǐ)用(yòng)管是使用(yòng)晶闸管原理(lǐ)制造的过電(diàn)压保护装置。它依靠PN结的击穿電(diàn)流来触发器件导通和放電(diàn)，这可(kě)能(néng)会流过大的浪涌電(diàn)流或脉冲電(diàn)流。其击穿電(diàn)压的范围构成了过压保护的范围。

无锡精密推荐选择半导體(tǐ)放電(diàn)管时应注意以下几点：

1.最大瞬时峰值電(diàn)流IPP必须大于通信设备标准的规定值。

2.转向電(diàn)压VBO必须小(xiǎo)于被保护電(diàn)路允许的最大瞬时峰值電(diàn)压。

3.当半导體(tǐ)放電(diàn)管处于导通状态（导通）时，功率损耗P应小(xiǎo)于其额定功率Pcm，Pcm = KVT * IPP，其中K由短路電(diàn)流波形确定。对于指数波，方波，正弦波和三角波，K值分(fēn)别為(wèi)1.00、1.4、2.2和2.8。

半导體(tǐ)用(yòng)管

4.反向击穿電(diàn)压VBR必须大于被保护電(diàn)路的最大工作電(diàn)压。例如，在POTS应用(yòng)中，最大振铃電(diàn)压（150V）的峰值電(diàn)压（150 * 1.41 = 212.2V）与峰值DC偏置電(diàn)压（56.6V）之和為(wèi)268.8V，因此VBR较大的设备应选择高于268.8V的電(diàn)压。再举一个例子，在ISDN应用(yòng)中，最大直流電(diàn)压（150V）和最大信号電(diàn)压（3V）之和為(wèi)153V，因此应选择VBR大于153V的设备。